产品型号

GSL-450-PLD（Pulsed Laser Deposition）

安装条件

本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。

1、水：设备配有自循环冷却水机，水温小于25℃，水压0.25-0.4Mpa，流量高于12 l/min（加注纯净水或者去离子水）；

2、电：AC380V 50Hz，功率大于10KW，波动范围：小于±6％，必须有良好接地（对地电阻小于2Ω）；

3、气：设备腔室内需充注氮/氩气（纯度99.99%以上），需自备氮/氩气气瓶（自带Ø10mm双卡套接头）及减压阀

4、场地面积：设备尺寸2000mm×2000mm，承重1000kg以上

5、通风装置：需要（外排废气管道）。

主要特点

1、由于激光光子能量很高，可溅射制备很多困难的镀层：如高温超导薄膜，陶瓷氧化物、氮化物薄膜，多层金属薄膜等；

2、体积小，操作简便可以非常容易的连续融化多个材料，实现多层膜制备；

3、可以通过控制激光能量和脉冲数，精密的控制膜厚；

4、易获得期望化学计量比的多组分薄膜，即具有良好的保成分性；

5、沉积速率高，试验周期短，衬底温度要求低，制备的薄膜均匀；

6、工艺参数任意调节，对靶材的种类没有限制。

技术参数

1、极限真空度：≤6.67x10^-5 Pa (经烘烤除气后)；

2、系统真空检漏漏率：≤5.0x10^-7 Pa.l/S；

3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，20分钟可达到5x10^-3 Pa。

基片参数

1、基片尺寸：可放置φ2″基片（带挡板）；

2、基片加热最高温度 800℃±1℃，由热电偶闭环反馈控制，采用抗氧化材料作加热器；

3、基片可连续回转，转速5～60转/分，电机驱动磁耦合机构控制；

4、基片与靶台之间距离30～90mm可调。

转靶参数

1、每次可以装四块靶材，靶材尺寸：φ1″或φ2″；
2、每块靶材可实现自转，转速5～60转/分，连续可调 ；
3、靶通过电机控制换位，靶材屏蔽罩将4块靶材屏蔽，每次只有一个靶材露出溅射成膜，以避免靶材之间的交叉污染。

真空腔体

1、球型真空室尺寸Ф450mm，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面进行特殊工艺抛光处理，接口采用金属垫圈密封或氟橡胶圈密封；

2、真空腔体带RF150活开门，方便取、放样品；

3、RF100法兰2套（1套紫外石英玻璃窗口用于激光器，另1套盲板红外石英玻璃窗口用于测温可选配）；

4、RF100光学玻璃窗口1套（用于观察）。

产品规格

整机尺寸：1800mm×1000mm×1600mm

标准配件

1

电源控制系统

1套

2

真空获得机组

1套

3

真空测量

1套