高真空PECVD系统为单室薄膜太阳电池等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺研发设备,用来在硅片上沉积SiOx、SiNx、非晶硅、多晶硅、碳材料等薄膜,镀膜样品为156*156mm基片(并向下兼容)。
产品型号 | 高真空PECVD系统 |
主要特点 | 1、系统采用单室方箱式结构,手动前开门; 2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造(304),氩弧焊接,表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口,并带挡板,真空尺寸为300mm×300×280mm; 3、采用样品在下,喷淋头在上喷淋式进气方式 4、气路设有匀气系统,真空室内设有保证抽气均匀性抽气装置 5、系统设有硅烷尾气处理系统(高温裂解方式)。 |
技术参数 | 1、停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa; 2、样品加热最高加热温度:300℃,温控精度:±1℃,采用日本进口控温表进行控温; 3、喷淋头尺寸:200×200mm,喷淋头与样品之间电极间距20-80mm连续可调,并带有标尺指数显示,采用金属焊接波纹管+进口直线导轨+进口丝杠+进口光轴方式,升降平稳、无抖动,保证了电极与样品的平行度; 4、 沉积工作真空:13-1300Pa; 5、射频电源:频率 13.56MHz,最大功率500W,全自动匹配; 6、SiH4、NH3、N2O、N2、H2、Ar 6路气体,共计使用6个质量流量控制器控制进气。 |
标准配件 | |
可选配件 | |