450型电子束蒸发镀膜系统用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等,广泛应用于大专院校、科研机构的科研及小批量生产。
产品型号 | 450型电子束蒸发镀膜系统 |
技术参数 | 系统主要由蒸发真空室、E型电子枪、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。 技术指标: 极限真空度:≤6.7×10 Pa 恢复真空时间:从1×10 Pa抽至5×10 Pa≤20min 系统漏率:6. 7×10-7Pa.L/S; 真空室:真空室500x500 x600mm采用U型箱体前开门,后置抽气系统e型电子枪:阳极电压:6kv、8kv(1套) 坩埚:水冷式坩埚,四穴设计,每个容量11ml 功率:0-6KW可调 电阻蒸发源(可选) 电压:5、10V 功率:电流300A,最大输出功率3Kw1套,可切换水冷电 极3根,组成2个蒸发舟 基片尺寸:可放置4″基片 样品台:基片可连续回转,转速5-60转/分基片与蒸发源之间距离300-350mm加热最高温度 800℃±1℃,可调手动控制样品挡板组件1套 气路系统:质量流量控制器1路 石英晶振膜厚控制仪:监测膜厚显示范围:0-99μ9999Å |