BDOPV

一般描述

传统的有机半导体材料由于能级较高，往往只能传输空穴，表现出p型迁移率。然而随着微电子领域的发展，为了进一步简化逻辑电路，尤其是在大尺寸显示领域，往往需要互补的TFT集成器件（CMOS）来大幅度降低驱动电路的功耗。单一的p型半导体材料已经无法满足大尺寸显示面板驱动电路的要求。传统的有机材料导入电子困难，并且在导入电子后其带电状态在空气中稳定性较差，因此目前大多数的有机材料仍以空穴传输为主，传输电子的有机材料发展较为缓慢。本产品是一种基于BDOPV的高性能n型聚合物半导体材料。

优势和特点：

• 具有优异的电荷传输性能，使用该材料的器件在进行包封后及时在空气中都能保持高的电子迁移率及稳定性，基于BDOPV这一骨架的共轭高分子最高可以达到14.9 cm² V^-1 s^-1的电子迁移率^[1]。基于BDOPV的小分子也可以达到12.6 cm² V^-1 s^-1的电子迁移率^[2]；
• 通过各种官能团以及卤素原子如氟原子的引入，可以调控材料的能级、带隙和性能；
• 通过分叉烷基侧链的设计可以对材料的聚集态行为进行调控。

应用

可用于晶体管和热电材料领域。基于BDOPV这一分子骨架所发表的工作被选为J. Am. Chem. Soc 的封面^[3]，并被美国三院院士Tobin Marks教授在该领域的研究综述列为重要的高性能构筑单元^[4]。基于含有不同烷基链的BDOPV的共轭高分子在报道后^[5]，国内外十几个课题组迅速采用该策略极大地提高了有机材料的场效应管和太阳能电池的性能。目前，已有8篇JACS，10篇AM，1篇ACIE等100多篇研究采取该策略提升有机电子学器件性能。除了在有机场效应晶体管的应用外，在多个领域表现出潜在的应用价值，比如具有优异的热电性能^[6,7]。

参考文献

1. J. Am. Chem. Soc. 2014, 136, 2135.
2. Advanced Materials, 2015, 27, 8051.
3. J. Am. Chem. Soc. 2013, 135, 12168.
4. Chem. Rev. 2014, 114, 8943.
5. Advanced Materials, 2013, 25, 6589.
6. ACS applied materials & interfaces, 2016, 8, 24737.
7. Nature Reviews materials 2016, 1, 16050.