基本信息
| 分子式 | C34H32N4O6 |
| 分子量 | 592.64 |
| 存储条件 | Store at 2-8℃ |
目前广泛使用的阴极修饰层多为p-型材料，存在电子迁移率低且与活性层受体能级不匹配的问题，因而电子在修饰层内的传输仅能依赖于隧穿效应，致使p-型材料修饰层表现出强的厚度依赖性。为了解决了这个问题，发展了具有高导电性、能级合适的n-型苝酰亚胺类阴极界面修饰层材料（PDIN和PDINO)，很好的解决了阴极修饰层厚度敏感性问题(Energy Environ. Sci., 2015, 8, 610， ZL201310166918.9)。另外，此类修饰层还有合成简单、价格低廉、能够批量制备等优点。
光电材料，界面修饰层
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