2H In2Se3（α相）是一种半导体。这些层通过范德华相互作用堆叠在一起，并且可以剥离成薄的 2D 层。α-In2Se3 属于第 13 族过渡后金属硫族化合物 （TMDC）。 硒化铟晶体的典型横向尺寸为 ～0.6-0.8 厘米。晶体呈六角形/矩形，具有金属外观。

技术参数

纯度: 99.995%

尺寸:～8mm

颜色: 灰黑色

产品特点

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Type：Synthetic

应用领域

在电子学领域：

场效应晶体管（FET）：硒化铟晶体由于其独特的电学特性，如高载流子迁移率，可用于制造高性能的场效应晶体管。例如，在柔性电子设备中，基于硒化铟晶体的 FET 能够实现高效的信号传输和处理。

存储器：其电阻可在不同条件下发生变化，这使得它有望应用于非易失性存储器，如阻变存储器（RRAM）。比如，在一些高密度存储芯片中，硒化铟晶体可以作为存储单元，实现快速的数据读写和长期的数据保存。

在光电领域：

光电探测器：对光具有较好的响应，可用于制造高性能的光电探测器。例如，在红外光探测中，硒化铟晶体能够将光信号转换为电信号，应用于安防监控系统或通信系统。

太阳能电池：作为太阳能电池的吸收层材料，能够有效地吸收太阳光并转化为电能。比如，在新型薄膜太阳能电池中，硒化铟晶体可以提高电池的光电转换效率。

在传感器领域：

气体传感器：对某些特定气体具有敏感性，可用于制造气体传感器来检测环境中的有害气体。例如，检测一氧化碳、氨气等气体的浓度变化。

在纳米技术领域：

纳米器件：由于其在纳米尺度下的特殊性质，可用于构建纳米级别的电子和光电子器件。比如，利用硒化铟晶体制造纳米级的场效应晶体管，实现更小尺寸和更高性能的纳米电路。

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