性质 

尺寸：2-6 nm

外观：黑色粉末

应用

传感器、光催化、微电子等领域。

其他信息

常温干燥密封避光保存，保存期限6个月。

先丰寄语

该款C3N量子点是使用2,3-二氨基吩嗪小分子水热合成方法制备的，是一种新型间接带隙半导体，本征带隙为0.39 eV。该材料可以通过氢化实现电子注入，并在96 K温度以下产生铁磁长程序。带隙的存在弥补了石墨烯没有本征带隙的缺憾，氢化载流子注入为调控该材料的电学特性提供了新的手段，铁磁性预示该材料体系具有丰富的物理内涵。

此外，有文献报道通过将表面修饰的C3N量子点与临床常用的抗疟剂用药氯喹（CQ）联用，切断肿瘤细胞的自我保护途径，实现了肿瘤的可视化高效智能治疗。

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