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氮化镓纳米颗粒,粒径0.5-3μm
产品介绍 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热 点,以氮化镓(GaN)为代表的III-V族宽带隙化合物半导体材料, 内、外量子效率高,具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐 射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是目前世界上***的半 导体材料。在室温下,GaN不溶于水、酸和碱,而在热的碱溶液中以非 常缓慢的速度溶解。室温下GaN的禁带宽度为3.4 eV,是优良的光电子材 料,可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝 三原色具备的全光固体显示。GaN晶体一般有六方纤锌矿结构(α相)和立方闪锌矿结构(β 相)。 技术参数 外观:浅棕色粉体 粒径:0.5-3μm(SEM) 成分:GaN 纯度:92wt%(EDS) 产品特点 宽带隙:具有较宽的能带隙,使其在高温、高功率和高频等极端条件下仍能稳定工作。 高电子迁移率:电子在其中能够快速移动,有利于实现高速的电子传输。 良好的光学性能:可以发出从紫外到蓝光波段的光。 耐高温和高压:在高温和高压环境中仍能保持良好的性能。 应用 发光二极管(LED):制造高效节能的白色 LED 灯,广泛应用于家庭、商业和工业照明。比如在大型商场的照明系统中,使用氮化镓基的 LED 灯,能够显著降低能耗。 在电子领域: 功率器件:制造高功率、高频的晶体管,如场效应晶体管(FET)。例如,在 5G 通信基站的功率放大器中,氮化镓器件能够提高信号传输效率和覆盖范围。 射频器件:用于雷达、卫星通信等射频应用。 在激光领域: 制造紫外和蓝光波段的激光二极管,应用于激光打印、光存储等。 订货信息
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