单斜相TaTe2具有金属超导性（在0.1K或施加静水压力下），并且在160-180K左右具有电荷密度波行为。利用通量区法和化学气相输运技术合成了环境稳定的单斜相TaTe2晶体。提供的TaTe2 CDW晶体是**分层的，取向为0001方向，因此准备剥离。我们的晶体具有极低的缺陷浓度，范围从1E10到1E11 cm-2。通量区生长的TaTe2晶体具有保证的CDW行为。每个订单都包含最高质量的科学级晶体，每个晶体都经过四(4)种不同的表征技术来确保晶体质量。

通量区vs. CVT生长法：众所周知，TaTe2晶体中的污染和缺陷会极大地影响CDW的行为（如CDW温度、CDW行为的存在、电阻率等）。磁通区技术是一种无卤化物和缓慢生长的技术，用于合成真正的电子级vdW晶体。该方法不同于化学气相输运（CVT）技术，它的生长速度快（～2周），但晶体质量差，而通量法需要～3个月，确保缓慢结晶以达到**的原子结构，并且晶体生长不含杂质。

技术参数

晶型：单斜相

纯度：约99.99%

应用领域

磁性：Ni3TeO6晶体在约53K的尼尔温度下表现出共线反铁磁（AFM）有序，这种磁性特性使得它在磁性材料的研究中具有潜在的应用价值。

量子效应：由于其独特的晶体结构和物理性质，Ni3TeO6晶体可用于探测量子效应，这对于量子物理和量子信息科学等领域的研究具有重要意义。

其他信息

订货信息